TaC圆环
产品介绍
可用于6吋和6吋、8吋的SiC晶体生长，减少晶棒缺陷
适用机型
第三代半导体SiC长晶炉
产品参数
基材：等静压石墨（纯度>6N）
涂层：TaC（厚度30~50 μm）
特点：致密度高，耐高温(<2600℃)，耐腐蚀，寿命长
产品类别
SiC长晶
关键词
这里是占位文字
推荐产品
产品咨询
请联系我们，联合半导体为您提供专业的定制服务
TaC圆环
可用于6吋和6吋、8吋的SiC晶体生长，减少晶棒缺陷
第三代半导体SiC长晶炉
基材：等静压石墨（纯度>6N）
涂层：TaC（厚度30~50 μm）
特点：致密度高，耐高温(<2600℃)，耐腐蚀，寿命长
产品类别
SiC长晶
关键词
这里是占位文字
推荐产品
产品咨询
请联系我们，联合半导体为您提供专业的定制服务
