长晶坩埚
产品介绍
可用于6吋和8吋的SiC晶体生长,装载SiC粉料和支撑反应腔室
适用机型
第三代半导体SiC长晶炉
产品参数
基材:等静压石墨(纯度>6N)
特点:纯度高,高导热,传热均匀性好,寿命长
产品类别
SiC长晶
关键词
这里是占位文字
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长晶坩埚
可用于6吋和8吋的SiC晶体生长,装载SiC粉料和支撑反应腔室
第三代半导体SiC长晶炉
基材:等静压石墨(纯度>6N)
特点:纯度高,高导热,传热均匀性好,寿命长
产品类别
SiC长晶
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