首页
走进联合
公司简介
企业文化
产品与应用
石墨产品
SiC涂层产品
TaC涂层产品
Solid SiC/Si产品
烧结SiC产品
定制产品
商务合作
核心优势
定制服务
联系我们
新闻动态
公司动态
行业资讯
公示公告
招贤纳士
福利待遇
热招岗位
English
SiC外延
MOCVD石墨盘
SiC长晶
Si外延
干刻
退火
SiC电极
基材：CVD SiC（纯度>6N）
特点：纯度高，耐腐蚀，高强度，化学性能稳定
SiC环
Si环
基材：Si（纯度>6N）
Si电极
6吋晶圆载盘
基材：等静压石墨（纯度>6N）
特点：纯度高，传热均匀性好，寿命长
8吋晶圆载盘
下半月
特点：纯度高，发热均匀，传热均匀性好，寿命长
气浮托盘
石墨盘
特点：纯度高，高导热，传热均匀性好，寿命长
长晶坩埚
6吋Ring
涂层：β-SiC（厚度=100±10 μm）
特点：致密度高，耐高温耐腐蚀，涂层结合力强，寿命长
8吋Ring
