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SiC外延
MOCVD石墨盘
SiC长晶
Si外延
干刻
退火
A8石墨盘
基材：等静压石墨（纯度>6N）
涂层：β-SiC（厚度=110±10 μm）
特点：致密度高，耐高温耐腐蚀，涂层结合力强，寿命长
K465i石墨盘
UV-LED石墨盘
TaC圆环
涂层：TaC（厚度30~50 μm）
特点：致密度高，耐高温(<2600℃)，耐腐蚀，寿命长
8吋晶圆载盘（TaC）
8吋晶圆顶升块（TaC）
刻蚀环/聚焦环
基材：CVD SiC（纯度>6N）
特点：纯度高，耐腐蚀，高强度，化学性能稳定，寿命长
侧挡板
基材：烧结SiC
特点：纯度高，绝缘，耐高温耐腐蚀，涂层结合力强，寿命长
退火盘
特点：致密度高，耐高温，涂层结合力强，寿命长
